CONSULTA

Substrato cerámico AlN de alta condutividade térmica

Substrato cerámico AlN de alta condutividade térmica
  • Densidade: 3,31 g/cm3
  • Resistencia a la compresión: 2100 MPa
  • Dureza (Vickers): 11 GPa
  • DETALLE DO PRODUTO

Descrición do produto

 

O nitruro de aluminio, fórmula AlN, é un material máis novo da familia da cerámica técnica. Aínda que o seu descubrimento ocorreu hai máis de 100 anos, desenvolveuse nun produto comercialmente viable con propiedades controladas e reproducibles nos últimos 20 anos.


O nitruro de aluminio ten unha estrutura cristalina hexagonal e é un material unido covalente. O uso de auxiliares de sinterización e prensado en quente é necesario para producir un material denso de calidade técnica. O material é estable a temperaturas moi elevadas en atmosferas inertes. No aire, a oxidación superficial comeza por riba dos 700 °C. Fórmase unha capa de óxido de aluminio que protexe o material ata 1370 °C. Por riba desta temperatura prodúcese a oxidación masiva. O nitruro de aluminio é estable en atmosferas de hidróxeno e dióxido de carbono ata 980 °C.


O material disólvese lentamente en ácidos minerais a través do ataque ao límite dos grans e en álcalis fortes mediante o ataque aos grans de nitruro de aluminio. O material hidrolízase lentamente en auga. A maioría das aplicacións actuais están na área da electrónica onde a eliminación de calor é importante. Este material é de interese como alternativa non tóxica á berilia. Existen métodos de metalización dispoñibles para permitir o uso de AlN en lugar de alúmina e BeO para moitas aplicacións electrónicas

 

 Propiedades físicas

 

 Boas propiedades dieléctricas

 Alta condutividade térmica

 Baixo coeficiente de expansión térmica, próximo ao do silicio

 Non reactivo con produtos químicos e gases normais do proceso de semicondutores

 

Aplicacións

 

 Disipadores de calor e espalladores de calor

 Illantes eléctricos para láseres

 Portabrocas, aneis de sujeción para equipos de procesamiento de semicondutores

 Illantes eléctricos

 Manipulación e procesamento de obleas de silicio

 Substratos e illantes para dispositivos microelectrónicos e dispositivos optoelectrónicos

 Substratos para paquetes electrónicos

 Portachips para sensores e detectores

 Chiplets

 Pinzas

 Compoñentes de xestión de calor láser

 Elementos de metal fundido

 Paquetes para dispositivos microondas

Propiedades dos materiais


Mecánica

Unidades de medida

SI/Métrico

(Imperial)

Densidade

g/cc (lb/ft3)

3.26

-203.5

Porosidade

% (%)

0

0

Cor

gris

Resistencia á flexión

MPa (lb/in2x103)

320

-46.4

Módulo elástico

GPa (lb/in2x106)

330

-47.8

Módulo de corte

GPa (lb/in2x106)

Módulo a granel

GPa (lb/in2x106)

Razón de Poisson

0.24

-0.24

Resistencia a la compresión

MPa (lb/in2x103)

2100

-304.5

Dureza

Kg/mm2

1100

Resistencia á fractura KIC

MPa•m1/2

2.6

Temperatura máxima de uso

°C (°F)

(sen carga)

Térmica




Condutividade térmica

W/m•°K (BTU•in/ft2•hr•°F)

140–180

(970–1250)

Coeficiente de dilatación térmica

10–6°C (10–6/°F)

4.5

-2.5

Calor específico

J/Kg•°K (Btu/lb•°F)

740

-0.18

Eléctrico




Resistencia dieléctrica

ac-kv/mm (voltios/mil)

17

-425

Constante dieléctrica

@ 1 MHz

9

-9

Factor de disipación

@ 1 MHz

0.0003

-0.0003

Tangente de perda

@ 1 MHz

Resistividade do volume

ohm•cm

>1014



undefined


Embalaxe e envío

undefined

Xiamen Wintrustek Advanced Materials Co., Ltd.

ENDEREZO:No.987 Huli Hi-Tech Park, Xiamen, China 361009
Teléfono:0086 13656035645
Tel:0086-592-5716890


VENDAS
Correo electrónico:sales@wintrustek.com
Whatsapp/Wechat:0086 13656035645


ENVÍENOS UN CORREO
Envía unha mensaxe e porémonos en contacto contigo!
PRODUTOS RELACIONADOS
Copyright © Wintrustek / sitemap / XML / Privacy Policy   

Casa

PRODUTOS

Sobre nós

Contacto