Descrizzione di u produttu
Nitruru d'aluminiu, formula AlN, hè un materiale più novu in a famiglia di ceramica tecnica. Mentre a so scuperta hè accaduta più di 100 anni fà, hè statu sviluppatu in un pruduttu cummerciale viable cù proprietà cuntrullate è riproducibili in l'ultimi 20 anni.
U nitruru d'aluminiu hà una struttura di cristallo esagonale è hè un materiale ligatu covalente. L'usu di l'aiuti di sinterizzazione è a pressa calda hè necessariu per pruduce un materiale densu di qualità tecnica. U materiale hè stabile à temperature assai elevate in atmosfera inerte. In l'aria, l'oxidazione di a superficia principia sopra à 700 ° C. Una strata d'ossidu d'aluminiu si forma chì prutegge u materiale finu à 1370 ° C. Sopra à questa temperatura si verifica l'ossidazione in massa. U nitruru d'aluminiu hè stabile in l'atmosfera di l'idrogenu è di l'anidride carbonica finu à 980 ° C.
U materiale si dissolve lentamente in l'acidi minerali attraversu l'attaccu di u granu di granu, è in alkali forti per l'attaccu à i grani di nitruru d'aluminiu. U materiale hydrolyzes lentamente in acqua. A maiò parte di l'applicazioni attuali sò in l'area di l'elettronica induve a rimozione di u calore hè impurtante. Stu materiale hè d'interessu cum'è una alternativa non tossica à berillia. I metudi di metallizazione sò dispunibuli per permette à AlN per esse usatu in u locu di l'alumina è BeO per parechje applicazioni elettroniche
Pruprietà fisica
✔ Boni proprietà dielettriche
✔ Alta conduttività termica
✔ Bassu coefficient di espansione termica, vicinu à quellu di Silicon
✔ Non-reattivu cù chimichi è gasi di prucessu di semiconductor normale
Applicazioni
✔ Dissipatori di calore è spargitori di calore
✔ Isolatori elettrici per i laser
✔ Mandrini, anelli di pinza per l'equipaggiu di trasfurmazioni di semiconduttori
✔ Isolatori elettrici
✔ Trattamentu è trasfurmazioni di wafer di silicone
✔ Substrati è insulatori per i dispositi microelettronici è apparecchi elettronichi opto
✔ Sustrati per i pacchetti elettroni
✔ Portachip per sensori è detectors
✔ Chiplets
✔ Colletti
✔ Cumpunenti di gestione di u calore laser
✔ Apparecchi di metallu fusu
✔ Pacchetti per i dispositi à microonde
Pruprietà materiale
Mecànicu | Unità di misura | SI / Metric | (imperiale) |
Densità | gm/cc (lb/ft3) | 3.26 | -203.5 |
Porosità | % (%) | 0 | 0 |
Culore | — | grisgiu | — |
Forza Flexural | MPa (lb/in2x103) | 320 | -46.4 |
Modulu elasticu | GPa (lb/in2x106) | 330 | -47.8 |
Modulu di tagliolu | GPa (lb/in2x106) | — | — |
Modulu Bulk | GPa (lb/in2x106) | — | — |
Ratio di Poisson | — | 0.24 | -0.24 |
Forza cumpressione | MPa (lb/in2x103) | 2100 | -304.5 |
Durezza | Kg/mm2 | 1100 | — |
Tenacità à a frattura KIC | MPa•m1/2 | 2.6 | — |
A temperatura massima d'usu | °C (°F) | — | — |
(senza carica) |
termale |
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Conduttività termale | W/m•°K (BTU•in/ft2•hr•°F) | 140–180 | (970–1250) |
Coefficient of Thermal Expansion | 10–6/°C (10–6/°F) | 4.5 | -2.5 |
Calore specificu | J/Kg•°K (Btu/lb•°F) | 740 | -0.18 |
Elettricu |
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Forza dielettrica | ac-kv/mm (volts/mil) | 17 | -425 |
Custante dielettrica | @ 1 MHz | 9 | -9 |
Fattore di dissipazione | @ 1 MHz | 0.0003 | -0.0003 |
Tangente di perdita | @ 1 MHz | — | — |
Resistività di u voluminu | ohm • cm | >1014 | — |
Imballaggio è spedizione
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