Silizio karburoa (SiC) material zeramikazkoa da, maiz kristal bakar gisa hazten dena erdieroaleen aplikazioetarako. Berezko materialaren propietateak eta kristal bakarreko hazkundea direla eta, merkatuko material erdieroale iraunkorrenetako bat da. Iraunkortasun hori bere funtzionalitate elektrikotik haratago hedatzen da.
Iraunkortasun fisikoa
SiC-ren iraunkortasun fisikoa bere aplikazio ez-elektronikoak aztertuz hobeto ilustratzen da: lixa-papera, estrusiozko trokelak, balen aurkako txaleko plakak, errendimendu handiko balazta-diskoak eta su-pizgailuak. SiC-k objektu bat urratu egingo du bera marrastatzearen aurka. Errendimendu handiko balazta-diskoetan erabiltzen direnean, ingurune gogorretan epe luzerako higaduraren aurrean duten erresistentzia proban jartzen da. Balen aurkako txaleko plaka gisa erabiltzeko, SiC-k indar fisiko eta inpaktu handia izan behar du.
Iraunkortasun kimikoa eta elektrikoa
SiC bere inertetasun kimikoagatik da ezaguna; produktu kimiko oldarkorrenek ere ez dute eragiten, hala nola alkaliak eta gatz urtuak, 800 °C-ko tenperaturak jasanda ere. Eraso kimikoarekiko duen erresistentzia dela eta, SiC ez da korrosiboa eta ingurune gogorrak jasan ditzake, besteak beste, aire hezearen, ur gaziaren eta hainbat produktu kimikoren esposizioa.
Bere energia-bandap altuaren ondorioz, SiC oso erresistentea da asaldura elektromagnetikoekiko eta erradiazioen eragin suntsitzaileekiko. SiC-k Si-k baino potentzia-maila altuagoetan kalteak jasan ditzake.
Shock Termikoen Erresistentzia
SiC-k shock termikoaren aurrean duen erresistentzia beste ezaugarri garrantzitsu bat da. Objektu bat muturreko tenperatura-gradiente baten eraginpean dagoenean, shock termikoa gertatzen da (hau da, objektu baten atal desberdinak tenperatura nabarmen desberdinetan daudenean). Tenperatura-gradiente horren ondorioz, hedapen- edo uzkurtze-abiadura aldatu egingo da atal ezberdinen artean. Shock termikoak hausturak eragin ditzake material hauskoretan, baina SiC-a oso erresistentea da efektu horiei. SiC-ren talka termikoaren erresistentzia bere eroankortasun termiko handia (350 W/m/K kristal bakarrerako) eta hedapen termiko baxuaren ondorioa da, material erdieroale gehienen aldean.
SiC elektronika (adibidez, MOSFETak eta Schottky diodoak) ingurune oldarkorrak dituzten aplikazioetan erabiltzen da, hala nola HEV eta EVak, haien iraunkortasuna dela eta. Material bikaina da erresistentzia fisiko, kimiko eta elektrikoagatik sendotasuna eta fidagarritasuna eskatzen duten erdieroaleen aplikazioetan erabiltzeko.
